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        圖片信息
        IPA086N10N3GXKSA1圖片
        基本技術信息:
      1. 電子器件型號:IPA086N10N3GXKSA1
      2. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
      3. 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
      4. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
      5. 點擊此處下載IPA086N10N3GXKSA1的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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      7. 技術參數(shù)詳解:
      8. 制造商產(chǎn)品型號:IPA086N10N3GXKSA1
      9. 制造商:Infineon Technologies
      10. 描述:MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
      11. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
      12. 產(chǎn)品系列:OptiMOS?
      13. 零件狀態(tài):有源
      14. FET類型:N 通道
      15. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
      16. 漏源電壓(Vdss):100V
      17. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):45A(Tc)
      18. 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
      19. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):8.6 毫歐 @ 45A,10V
      20. 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.5V @ 75μA
      21. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V
      22. Vgs(最大值):±20V
      23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3980pF @ 50V
      24. FET功能:-
      25. 功率耗散(最大值):37.5W(Tc)
      26. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
      27. 安裝類型:通孔
      28. 器件封裝:PG-TO220-FP
      29. IPA086N10N3GXKSA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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